امنیت
فهرست مطالب
حافظه اس‌اس‌دی 122.88 ترابایتی
حدود یک هفته قبل، شرکت Kioxia در جریان برگزاری نمایشگاه NVIDIA GTC 2025 اقدام به رونمایی از حافظه اس‌اس‌دی 122.88 ترابایتی جدید خود کرد. این حافظه حالت جامد که در کلاس فرم فاکتور 2.5 اینچی قرار دارد، ظرفیت ذخیره‌سازی 122.88 ترابایت را می‌دهد تا روند پذیرش حافظه‌های حالت جامد را شتاب بخشد.
یک حافظه اس‌اس‌دی جالب با ویژگی‌های منحصر به فرد
یکی از ویژگی‌های جالب توجه حافظه فوق طراحی درایوی منطبق با معماری PCIe Gen5 است. بنابراین، مشکلی از بابت نصب آن روی سیستم وجود ندارد. نکته مهم و قابل تاملی که در ارتباط با طراحی حافظه فوق وجود دارد این است که ما در گذشته نیز شاهد عرضه درایوهای 122.88 ترابایتی بودیم، اما تمامی این درایوها مبتتی بر رابط قدیمی‌تر PCIe Gen4 بودند که در مقایسه با نسل پنجم پهنای باند کمتری را در زمینه انتقال اطلاعات ارائه می‌دهند. رابط Gen5 می‌تواند به صورت یک x4 برای سرورهای استاندارد یا x2x2 برای استقرارهای دو پورتی با دسترسی بالا پیکربندی شود که یکی دیگر از ویژگی‌های منحصر به فرد آن به شمار می‌رود.
دستیابی به ظرفیت 122.88 ترابایت به معنای استفاده از نسل هشتم حافظه فلش سه بعدی 2Tb QLC BiCSشرکت Kioxia است. در آزمایش‌های به عمل آمده، آستانه تحمل این درایو برابر با 0.3DWPD با 1.5 ترابایت در ساعت در زمان نوشتن روی هر درایو است.
شایان ذکر است که BiCS FLASH QLC یک نوع فناوری حافظه فلش سه بعدی NAND است که توسط شرکت Kioxia توسعه یافته است. QLC مخفف Quad-Level Cell به معنای سلول چهار سطحی است، که نشان می‌دهد در هر سلول حافظه، چهار بیت داده ذخیره می‌شود. این امر در مقایسه با فناوری‌های پیشین مانند TLC سرنام (Triple-Level Cell) که سه بیت در هر سلول ذخیره می‌کرد، امکان دستیابی به چگالی ذخیره‌سازی بسیار بالاتری را فراهم می‌کند. BiCS FLASH نیز نام تجاری فناوری حافظه فلش سه بعدی Kioxia است که در آن سلول‌های حافظه به صورت عمودی روی یکدیگر قرار می‌گیرند. این ساختار سه بعدی امکان افزایش ظرفیت در یک فضای فیزیکی مشابه را می‌دهد.
ترکیب این دو فناوری، یعنی QLC و BiCS FLASH، منجر به تولید حافظه‌های فلش با ظرفیت‌های بسیار بالا و هزینه به ازای هر گیگابایت پایین‌تر شده است. نسل هشتم این فناوری با نام BiCS FLASH™ generation 8، از 218 لایه حافظه بهره می‌برد و از فناوری اتصال ویفر CBA سرنام (CMOS directly Bonded to Array) استفاده می‌کند که به منظور افزایش چگالی بیت و سرعت ورودی/خروجی NAND طراحی شده است. این فناوری به طور خاص برای کاربردهای نیازمند ظرفیت بالا و مقرون به صرفه مانند مراکز داده، آرشیو داده‌ها و برخی کاربردهای هوش مصنوعی مناسب است، اگرچه ممکن است در مقایسه با فناوری‌های با دوام‌تر مانند TLC، تحمل کمتری در برابر چرخه‌های نوشتن داشته باشد. با این حال، پیشرفت‌های صورت گرفته در مدیریت و کنترلر‌های حافظه، استفاده از QLC را در کاربردهای گسترده‌تری امکان‌پذیر ساخته است.
کلام آخر
تقریبا تمامی شواهد و آمارها نشان می‌دهند که ما در حال ورود به عصر جدید مبتنی بر حافظه‌های فلش و گذر از هارد دیسک‌هایی هستیم که مشکلات خاص خود را دارند. همچنین، ظرفیت حاظه‌های فلش در مقایسه به سال‌های گذشته افزایش چشم‌گیری داشته است. البته، ورود گسترده این حافظه‌های فلش به بازار زمان‌بر خواهد بود و احتمالا در نیمه دوم سال به شکل انبوه به بازار عرضه خواهند شد. نکته مهم دیگری که باید به آن اشاره داشته باشیم این است که شرکت‌های بزرگ و به ویژه مدیران مراکز داده نیز از حافظه‌های حالت جامد استقبال می‌کنند.
اشتراک‌گذاری
مطالب مشابه
۳ اردیبهشت ۱۴۰۴
۲ اردیبهشت ۱۴۰۴
