مرکز تماس: 42922-021
صدای مشتری: 88844430-021
پست الکترونیک: info‌@‌mef‌tah‌.c‌om
مرکز دانش IT
فرهنگ واژگان تخصصی

MOSFET

ماسفت

ماس‌فِت یا ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه‌رسانای اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند. دلیل این نام‌گذاری این است که در ساختمان این ترانزیستور، یک لایهٔ اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایهٔ گِیت قرار گرفته است.

این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال 1926میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به‌کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه‌ها به ماس‌فِت‌ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام‌های گِیت (ABAS GSM)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌گیرند. در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی‌کشد، و چنان‌که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماس‌فِت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماس‌فِت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است. به این دلیل به ماس‌فِت ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ماس‌فت را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم‌اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای ماس‌فِت، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

 

این توضیحات را بهبود دهید!
در مرکز دانش وبسایت مفتاح، همه کاربران میتوانند در تولید علم مشارکت داشته باشند؛ با استفاده از گزینه های زیر به کامل کردن یا بهبود اطلاعات موجود کمک کنید تا پس از بازبینی، تحت حساب کاربری خودتان منتشر شود.
بهبود توضیحات این واژه
پاسخ به سوالات تخصصی
امتیاز دهید:
برچسب ها:
۹ اسفند ۱۳۹۹     بازدید: ۱۷۶    
درج دیدگاه
- برای درج دیدگاه میتوانید بصورت مهمان نظر بگذارید یا عضو شوید یا وارد شوید.
نام: *
آدرس ایمیل:
متن دیدگاه: *
ارسال
از نو
تمامی حقوق برای شرکت مفتاح رایانه افزار (سهامی خاص) محفوظ میباشد.
کاربر مهمان
پشتیبان آفلاین
ثبت نام
ورود
قبلاً در سایت عضو نشده اید؟
رمز عبور خود را فراموش کردید؟

برقراری ارتباط با پشتیبان آنلاین، در ساعات کاری مهیاست. اما اکنون میتوانید تیکت ایجاد کنید یا جهت ارسال ایمیل به مفتاح فرم زیر را پر کنید؛ ما در اسرع وقت پاسخ میدهیم.

5 پیام جدید!
خانه خدمات محصولات مرکز دانش دوره های آموزشی سامانه پرسش و پاسخ فرهنگ واژگان تخصصی اخبار و مقالات چندرسانه‌ای ویدئو ها دانلود ها درباره ما همکاری با ما فرصت های شغلی تماس با ما ناحیه کاربری تیکت های پشتیبانی ایجاد تیکت تنظیمات کاربری
رسانه مفتاح
مرکز دانش

لطفاً تست هویت سنجی را تکمیل نمایید.

انصراف