Ferroelectric RAM (FRAM)

حافظه دسترسی تصادفی فرو الکتریک

اف‌رم (به انگلیسی: FRAM یا FeRAM) نوع خاصی از حافظه‌های دائمی هستند که توانایی پاک شدن و برنامه‌ریزی مجدد را دارند. در حافظه‌های FRAM از ساختار حافظه‌های DRAM استفاده شده‌است با این تفاوت که به جای دی الکتریک خازن، یک ماده فرو الکتریک قرار دارد. این تغییر باعث دائمی شدن حافظه‌های FRAM و سرعت بسیار بالای آن‌ها شده‌است به‌طوری‌که در برخی موارد از این حافظه به عنوان حافظه موقتی RAM استفاده شده‌است. مواد فروالکتریک مانند مواد فرومغناطیس دارای حلقه هیسترزیس است و مشابه مواد فرومغناطیس که یک پلاریته مغناطیسی را در خود ذخیره می‌کنند، قادر به ذخیره کردن یک پلاریته الکتریکی در غیاب میدان الکتریکی هستند.

مزایای FeRAM نسبت به فلش عبارتند از: مصرف برق پایین تر، عملکرد سریعتر نوشتن و حداکثر استقامت خواندن / نوشتن (در حدود 1010 تا 1014 چرخه). FeRAM ها مدت زمان نگهداری بیشتر از 10 سال در دمای 85+ درجه سانتیگراد دارند (تا چندین دهه در دماهای پایین تر). معایب FeRAM ها نسبت به دستگاه های فلش عبارتند از : تراکم ذخیره سازی بسیار کمتر، محدودیت ظرفیت ذخیره سازی و هزینه بالاتر. مانند DRAM، فرایند خواندن FeRAM نیز مخرب است و نیاز به معماری نوشتن پس از خواندن دارد.